一、EDI 膜塊污堵的判斷
設備的化學清洗及再生
雖然EDI膜塊的進水條件在很大的程度上減少了膜塊內部阻塞的機會，但是著 設備運行時間的延展，EDI膜塊內部水道還是有可能產(chǎn)生阻塞，這主要是EDI進水中含有較多的溶質，在濃水室中形成鹽的沉淀。如果進水中含有大量的鈣鎂離子（硬度超過0.8ppm）、CO2 和較高的 PH 值，將會加快沉淀的速度。遇到這種情況，我們可以通過化學清洗的方法對EDI膜塊進行清洗，使之恢復到原來的技術特性。
EDI 膜塊被污染堵塞的判定
1、在進水溫度、流量不變的情況下，進水側與產(chǎn)水側的壓差比原始數(shù)據(jù)升高 45%。
2、在進水溫度、流量不變的情況下，濃水進水側與濃水排水側的壓差比原始數(shù)據(jù)升高45%。
3、在進水溫度、流量及電導率不變的情況下，產(chǎn)水水質（電阻率）明顯下降。
4、在進水溫度、流量不變的情況下，濃水排水流量下降35%。
膜塊堵塞的幾種形式
1、顆粒/膠體污堵
2、無機物污堵
3、有機物污堵
4、微生物污堵
EDI 清洗注意：在清洗或消毒之前請先選擇合適的化學藥劑并熟悉安全操作規(guī)程，切不可在組件電源沒有切斷的狀態(tài)下進行化學清洗。
●顆粒/膠體污堵
進水顆粒度≥5μm 時會造成進水流道堵塞，引起膜塊內部水流分布不均勻，從而導致 膜塊整體性能降低。如果EDI膜塊的進水不是直接由 RO 產(chǎn)水端進入 EDI 膜塊，而是通過RO產(chǎn)水箱經(jīng)過增壓泵供水，建議在進入EDI膜塊前端增設保安過濾器（≤0.2μm）。在組裝EDI設備時，所有的連接管道系統(tǒng)應沖洗干凈以預防管道內的顆粒雜質進入膜塊。
●無機物污堵
如果 EDI 進水含有較多的溶質且超出設計值或者回收率超過設計值時,將導致濃水室和陰極室的結垢，生成鹽類物質析出沉淀，通常結垢的類型為鈣、鎂離子生成的碳酸鹽。即便這類物質的濃度很小，接觸時間也很短，但隨著運行時間的累加，仍有發(fā)生結垢的可能，這種硬度結垢很容易通過酸洗去除。按照方案1中的方法，使用低PH溶液在系統(tǒng)內部循環(huán)清洗，可以去除濃水室和陰極室的結垢。
當進水中的鐵和錳含量高，或者高TDS的水以外進入到EDI膜塊時，也會使淡水室的離子交換樹脂或者濃水室形成無幾物污堵。可以采用方案2進行清洗。
●有機物污堵
當進水有機污染物TOC或TEA含量超過設計標準時，淡水室的離子交換樹脂和離子膜會發(fā)生有機污堵?？梢圆捎梅桨?的方法，用高PH值的藥水對淡水室及濃水室循環(huán)清洗可以將有機分子清除出離子交換樹脂對這種污堵進行清洗。
●微生物污堵
當設備運行環(huán)境適于微生物生長，或者進水中存在較多的細菌和藻類的時候，EDI膜塊和系統(tǒng)也會發(fā)生微生物污堵。可以采用方案3、4中的方法用高PH鹽水進行清洗。如果微生物污堵情形比較嚴重時，可以采用方案5進行清洗。如果同時伴有無機物污堵， 可以按照方案6加入酸洗步驟。
對于極嚴重的微生物污堵，可以采用方案7或8以高PH 藥劑清洗。
二、EDI 膜塊8大清洗方案
清洗方案1——濃水室結垢清洗
1、記錄清洗前所有數(shù)據(jù)。
2、分離EDI設備與其他設備的連接管路
3、連接清洗裝置，使清洗泵通過濃水管路進入EDI膜塊再回到清洗水箱，濃水進、出水閥開啟，關閉EDI淡水進水閥和產(chǎn)水閥。
4、在清洗水箱配置2%濃度的鹽酸清洗液。
5、啟動清洗泵，調節(jié)濃水進水閥，以規(guī)定的流量循環(huán)清洗（酸洗步驟）。（參見附表）
6、停止清洗泵，排空清洗水箱清洗廢液，分離濃水排水閥至地溝。
7、向清洗水箱連續(xù)注入清水（RO產(chǎn)水），啟動清洗泵連續(xù)清洗（沖洗步驟）。
8、打開EDI進水閥和產(chǎn)水閥，同時對兩個水室進行沖洗。
9、檢測濃水出水側的水質，直至與進水側電導率相近。
10、各個閥門，恢復原始各設計流量數(shù)據(jù)。
11、恢復 EDI 各個管路與其他系統(tǒng)的連接。
12、開啟 PLC 控制柜電源，向 EDI 膜塊送電，轉入正常運行，并作好初次運行的數(shù)據(jù)記錄。
清洗方案2——淡水室結垢清洗
1、記錄清洗前所有數(shù)據(jù)。
2、分離EDI設備與其他設備的連接管路
3、連接清洗裝置，使清洗泵通過進水管路分別進入EDI膜塊的淡水室和濃水室，再回到清洗水箱，開啟所有的進出水閥門。
4、在清洗水箱配置2%濃度的鹽酸清洗液。
5、啟動清洗泵，分別調節(jié)濃水、進水閥，以規(guī)定的流量循環(huán)清洗（酸洗步驟）。（參見附表）
6、停止清洗泵，排空清洗水箱清洗廢液，分離濃水排水閥至地溝。
7、向清洗水箱連續(xù)注入清水（RO產(chǎn)水），啟動清洗泵連續(xù)清洗（沖洗步驟）。
8、分別檢測淡水、濃水出水側的水質，直至與進水側電導率相近。
9、調節(jié)各個閥門，恢復原始各設計流量數(shù)據(jù)。
10、停機，恢復EDI各個管路與其他系統(tǒng)的連接。
11、開啟PLC控制柜電源，向EDI膜塊送電，進行再生（再生步驟），直至電阻率達到出水要求為止。
12、轉入正常運行，并作好初次運行的數(shù)據(jù)記錄。
清洗方案3——有機物污堵清洗
1、記錄清洗前所有數(shù)據(jù)。
2、分離EDI設備與其他設備的連接管路
3、連接清洗裝置，使清洗泵通過進水管路分別進入EDI膜塊的淡水室和濃水室，再回到清洗水箱，開啟所有的進出水閥門。
4、在清洗水箱配置1%濃度的氫氧化鈉（NaOH）+2%鹽（NaCl）的清洗液。
5、啟動清洗泵，分別調節(jié)濃水、進水閥，以規(guī)定的流量循環(huán)清洗（堿洗步驟）。（參見附表）
6、停止清洗泵，排空清洗水箱清洗廢液，分離濃水排水閥至地溝。
7、向清洗水箱連續(xù)注入清水（RO產(chǎn)水），啟動清洗泵連續(xù)清洗（沖洗步驟）。
8、分別檢測產(chǎn)水、濃水出水側的水質，直至與進水側電導率相近。
9、調節(jié)各個閥門，恢復原始各設計流量數(shù)據(jù)。
10、停機，恢復EDI各個管路與其他系統(tǒng)的連接。
11、開啟PLC控制柜電源，向EDI膜塊送電，進行再生（再生步驟），直至電阻率達到出水要求為止。
12、轉入正常運行，并作好初次運行的數(shù)據(jù)記錄。
清洗方案 4——有機物污堵和結垢
1、記錄清洗前所有數(shù)據(jù)。
2、分離EDI設備與其他設備的連接管路
3、連接清洗裝置，使清洗泵通過進水管路分別進入EDI膜塊的淡水室和濃水室，再回到清洗水箱，開啟所有的進出水閥門。
4、在清洗水箱配置2%濃度的鹽酸清洗液。
5、啟動清洗泵，分別調節(jié)濃水、進水閥，以規(guī)定的流量循環(huán)清洗（酸洗步驟）。參見附表）
6、停止清洗泵，排空清洗水箱清洗廢液，分離濃水排水閥至地溝。
7、向清洗水箱連續(xù)注入清水（RO產(chǎn)水），啟動清洗泵連續(xù)清洗（沖洗步驟）。
8、分別檢測產(chǎn)水、濃水出水側的水質，直至與進水側電導率相近。
9、在清洗水箱配置1%濃度的氫氧化鈉（NaOH）+2%鹽（NaCl）的清洗液。
10、啟動清洗泵，分別調節(jié)濃水、進水閥，以規(guī)定的流量循環(huán)清洗（堿洗步驟）。（參見附表）
11、停止清洗泵，排空清洗水箱清洗廢液，分離濃水排水閥至地溝。
12、向清洗水箱連續(xù)注入清水（RO產(chǎn)水），啟動清洗泵連續(xù)清洗（沖洗步驟）。
13、分別檢測產(chǎn)水、濃水出水側的水質，直至與進水側電導率相近。
14、調節(jié)各個閥門，恢復原始各設計流量數(shù)據(jù)。
15、停機，恢復EDI各個管路與其他系統(tǒng)的連接。
16、開啟PLC控制柜電源，向EDI膜塊送電，進行再生（再生步驟），直至電阻率達到出水要求為止。
17、轉入正常運行，并作好初次運行的數(shù)據(jù)記錄。
微生物污堵可采用方案 3 進行
微生物污堵和結垢可餓采用方案 4 進行
清洗方案 5——嚴重的微生物污堵
1、記錄清洗前所有數(shù)據(jù)。
2、分離EDI設備與其他設備的連接管路
3、連接清洗裝置，使清洗泵通過進水管路進入EDI膜塊的淡水室、 濃水室，再回到清洗水箱，開啟所有的進出水閥門。
4、在清洗水箱配置2%濃度的鹽（NaCl）清洗液。
5、啟動清洗泵，調節(jié)淡水、濃水進水閥，以規(guī)定的流量循環(huán)清洗（鹽洗步驟）。（參見附表）
6、停止清洗泵，排空清洗水箱清洗廢液，分離產(chǎn)水、濃水排水閥至地溝。
7、向清洗水箱連續(xù)注入清水（RO產(chǎn)水），啟動清洗泵連續(xù)清洗（沖洗步驟）。
8、分別檢測產(chǎn)水、濃水出水側的水質，直至與進水側電導率相近。
9、在清洗水箱配置 0.04%濃度的過氧乙酸(CH3COOOH)+0.2%的過氧化氫（H2O2）清洗液。
10、啟動清洗泵，分別調節(jié)淡水、濃水進水閥，以規(guī)定的流量循環(huán)清洗（消毒步驟）。（參見附表）
11、停止清洗泵，排空清洗水箱清洗廢液，分離濃水排水閥至地溝。
12、向清洗水箱連續(xù)注入清水（RO產(chǎn)水），啟動清洗泵連續(xù)清洗（沖洗步驟）。
13、分別檢測產(chǎn)水、濃水出水側的水質，直至與進水側電導率相近。
14、在清洗水箱配置 2%濃度的鹽（NaCl）清洗液。
15、啟動清洗泵，調節(jié)淡水、濃水進水閥，以規(guī)定的流量循環(huán)清洗（鹽洗步驟）。（參見附表）
16、停止清洗泵，排空清洗水箱清洗廢液，分離產(chǎn)水、濃水排水閥至地溝。
17、向清洗水箱連續(xù)注入清水（RO產(chǎn)水），啟動清洗泵連續(xù)清洗（沖洗步驟）。
18、分別檢測產(chǎn)水、濃水出水側的水質，直至與進水側電導率相近。
19、調節(jié)各個閥門，恢復原始各設計流量數(shù)據(jù)。
20、停機，恢復EDI各個管路與其他系統(tǒng)的連接。
21、開啟PLC控制柜電源，向EDI膜塊送電，進行再生（再生步驟），直至電阻率達到出水要求為止。
22、轉入正常運行，并作好初次運行的數(shù)據(jù)記錄。
清洗方案 6——嚴重的微生物污堵和結垢
1、記錄清洗前所有數(shù)據(jù)。
2、分離EDI設備與其他設備的連接管路
3、連接清洗裝置，使清洗泵通過進水管路進入EDI膜塊的淡水室、濃水室，再回到清洗水箱，開啟所有的進出水閥門。
4、在清洗水箱配置2%濃度的鹽酸清洗液。
5、啟動清洗泵，分別調節(jié)濃水、進水閥，以規(guī)定的流量循環(huán)清洗（酸洗步驟）。（參見附表）
6、停止清洗泵，排空清洗水箱清洗廢液，分離濃水排水閥至地溝。
7、向清洗水箱連續(xù)注入清水（RO產(chǎn)水），啟動清洗泵連續(xù)清洗（沖洗步驟）。
8、分別檢測淡水、濃水出水側的水質，直至與進水側電導率相近。
9、在清洗水箱配置2%濃度的鹽（NaCl）清洗液。
10、啟動清洗泵，調節(jié)淡水、濃水進水閥，以規(guī)定的流量循環(huán)清洗（鹽洗步驟）。（參見附表）
11、停止清洗泵，排空清洗水箱清洗廢液，分離產(chǎn)水、濃水排水閥至地溝。
12、向清洗水箱連續(xù)注入清水（RO產(chǎn)水），啟動清洗泵連續(xù)清洗（沖洗步驟）。
13、分別檢測產(chǎn)水、濃水出水側的水質，直至與進水側電導率相近。
14、在清洗水箱配置0.04%濃度的過氧乙酸(CH3COOOH)+0.2%的過氧化氫（H2O2）清洗液。
15、啟動清洗泵，分別調節(jié)淡水、濃水進水閥，以規(guī)定的流量循環(huán)清洗（消毒步驟）。（參見附表）
16、停止清洗泵，排空清洗水箱清洗廢液，分離濃水排水閥至地溝。
17、向清洗水箱連續(xù)注入清水（RO產(chǎn)水），啟動清洗泵連續(xù)清洗（沖洗步驟）。
18、分別檢測產(chǎn)水、濃水出水側的水質，直至與進水側電導率相近。
19、在清洗水箱配置2%濃度的鹽（NaCl）清洗液。
20、啟動清洗泵，調節(jié)淡水、濃水進水閥，以規(guī)定的流量循環(huán)清洗（鹽洗步驟）。（參見附表）
21、停止清洗泵，排空清洗水箱清洗廢液，分離產(chǎn)水、濃水排水閥至地溝。
22、向清洗水箱連續(xù)注入清水（RO產(chǎn)水），啟動清洗泵連續(xù)清洗（沖洗步驟）。
23、分別檢測產(chǎn)水、濃水出水側的水質，直至與進水側電導率相近。
24、調節(jié)各個閥門，恢復原始各設計流量數(shù)據(jù)。
25、停機，恢復EDI各個管路與其他系統(tǒng)的連接。
26、開啟PLC控制柜電源，向EDI膜塊送電，進行再生（再生步驟），直至電阻率達到出水要求為止。
27、轉入正常運行，并作好初次運行的數(shù)據(jù)記錄。
清洗方案 7——極嚴重的微生物污堵
1、記錄清洗前所有數(shù)據(jù)。
2、分離EDI設備與其他設備的連接管路
3、連接清洗裝置，使清洗泵通過進水管路進入EDI膜塊的淡水室、濃水室，再回到清洗水箱，開啟所有的進出水閥門。
4、在清洗水箱配置2%濃度的鹽（NaCl）清洗液。
5、啟動清洗泵，調節(jié)淡水、濃水進水閥，以規(guī)定的流量循環(huán)清洗（鹽洗步驟）。（參見附表）
6、停止清洗泵，排空清洗水箱清洗廢液，分離產(chǎn)水、濃水排水閥至地溝。
7、向清洗水箱連續(xù)注入清水（RO產(chǎn)水），啟動清洗泵連續(xù)清洗（沖洗步驟）。
8、分別檢測產(chǎn)水、濃水出水側的水質，直至與進水側電導率相近。
9、在清洗水箱配置0.04%濃度的過氧乙酸(CH3COOOH)+0.2%的過氧化氫（H2O2）清洗液。
10、啟動清洗泵，分別調節(jié)淡水、濃水進水閥，以規(guī)定的流量循環(huán)清洗（消毒步驟）。（參見附表）
11、停止清洗泵，排空清洗水箱清洗廢液，分離濃水排水閥至地溝。
12、向清洗水箱連續(xù)注入清水（RO產(chǎn)水），啟動清洗泵連續(xù)清洗（沖洗步驟）。
13、分別檢測產(chǎn)水、濃水出水側的水質，直至與進水側電導率相近。
14、在清洗水箱配置1%濃度的氫氧化鈉（NaOH）+2%鹽（NaCl）的清洗液。
15、啟動清洗泵，分別調節(jié)濃水、進水閥，以規(guī)定的流量循環(huán)清洗（堿洗步驟）。（參見附表）
16、停止清洗泵，排空清洗水箱清洗廢液，分離濃水排水閥至地溝。
17、向清洗水箱連續(xù)注入清水（RO產(chǎn)水），啟動清洗泵連續(xù)清洗（沖洗步驟）。
18、分別檢測淡水、濃水出水側的水質，直至與進水側電導率相近。
19、調節(jié)各個閥門，恢復原始各設計流量數(shù)據(jù)。
20、停機，恢復EDI各個管路與其他系統(tǒng)的連接。
21、開啟PLC控制柜電源，向EDI膜塊送電，進行再生（再生步驟），直至電阻率達到出水要求為止。
22、轉入正常運行，并作好初次運行的數(shù)據(jù)記錄。
清洗放案 8——極嚴重的微生物污堵和結垢
1、記錄清洗前所有數(shù)據(jù)。
2、分離EDI設備與其他設備的連接管路
3、連接清洗裝置，使清洗泵通過進水管路進入EDI膜塊的淡水室、濃水室，再回到清洗水箱，開啟所有的進出水閥門。
4、在清洗水箱配置2%濃度的鹽酸清洗液。
5、啟動清洗泵，分別調節(jié)濃水、進水閥，以規(guī)定的流量循環(huán)清洗（酸洗步驟）。（參見附表）
6、停止清洗泵，排空清洗水箱清洗廢液，分離濃水排水閥至地溝。
7、向清洗水箱連續(xù)注入清水（RO產(chǎn)水），啟動清洗泵連續(xù)清洗（沖洗步驟）。
8、分別檢測淡水、濃水出水側的水質，直至與進水側電導率相近。
9、在清洗水箱配置2%濃度的鹽（NaCl）清洗液。
10、啟動清洗泵，調節(jié)淡水、濃水進水閥，以規(guī)定的流量循環(huán)清洗（鹽洗步驟）。（參見附表）
11、停止清洗泵，排空清洗水箱清洗廢液，分離產(chǎn)水、濃水排水閥至地溝。
12、向清洗水箱連續(xù)注入清水（RO產(chǎn)水），啟動清洗泵連續(xù)清洗（沖洗步驟）。
13、分別檢測產(chǎn)水、濃水出水側的水質，直至與進水側電導率相近。
14、在清洗水箱配置0.04%濃度的過氧乙酸(CH3COOOH)+0.2%的過氧化氫（H2O2）清洗液。
15、啟動清洗泵，分別調節(jié)淡水、濃水進水閥，以規(guī)定的流量循環(huán)清洗（消毒步驟）。（參見附表）
16、停止清洗泵，排空清洗水箱清洗廢液，分離濃水排水閥至地溝。
17、向清洗水箱連續(xù)注入清水（RO產(chǎn)水），啟動清洗泵連續(xù)清洗（沖洗步驟）。
18、分別檢測產(chǎn)水、濃水出水側的水質，直至與進水側電導率相近。
19、在清洗水箱配置1%濃度的氫氧化鈉（NaOH）+2%鹽（NaCl）的清洗液。
20、啟動清洗泵，調節(jié)淡水、濃水進水閥，以規(guī)定的流量循環(huán)清洗（堿洗步驟）。（參見附表）
21、停止清洗泵，排空清洗水箱清洗廢液，分離產(chǎn)水、濃水排水閥至地溝。
22、向清洗水箱連續(xù)注入清水（RO產(chǎn)水），啟動清洗泵連續(xù)清洗（沖洗步驟）。
23、分別檢測產(chǎn)水、濃水出水側的水質，直至與進水側電導率相近。
24、調節(jié)各個閥門，恢復原始各設計流量數(shù)據(jù)。
25、停機，恢復EDI各個管路與其他系統(tǒng)的連接。
26、開啟PLC控制柜電源，向EDI膜塊送電，進行再生（再生步驟），直至電阻率達到出水要求為止。
27、轉入正常運行，并作好初次運行的數(shù)據(jù)記錄。
安全注意事項
1、在配置清洗藥液時，必須穿戴好防護服、防護眼鏡和防護手套。
2、需要清洗的設備管路必須是與其他連接設備的連接管路完全隔離的。
3、需要清洗的設備其電源必須是完全切斷并有“正在操作，不得送電”的安全警示。
4、整個清洗過程中清洗的工作壓力不能超過 0.15MPa。
清洗設備組件
1、清洗循環(huán)泵（耐腐蝕泵）
2、清洗水箱（PP）
3、耐腐蝕清洗軟管（與清洗泵適配）
4、耐腐蝕閥門（UPVC）
5、耐腐蝕壓力表
6、過濾器（≤1μm）
工具：pH 試紙（廣泛）；溫度計；計時表
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